Серия памяти DDR4 SODIMM

  • Интерфейс: DDR4
  • Тип DIMM: SODIMM
  • Частота: 2400/2666/3200 МГц
  • Разные ёмкости: 4 ГБ/8 ГБ/16 ГБ/32 ГБ
  • Рабочая температура:0-75°C
  • Температура хранения: -40-75°C
  • Напряжение: 1.2V
Категории: Тег:Серия памяти DDR4 SODIMM
  • KingDian Серия памяти DDR4 SODIMM

 
  • Повышение производительности- Память ноутбука DDR4 обеспечивает улучшенную скорость передачи данных и эффективность по сравнению с DDR3, повышая общую производительность системы.
 
  • Низкое энергопотребление- Память DDR4 работает на более низких уровнях напряжения, что способствует снижению энергопотребления, что необходимо для ноутбуков для максимального времени работы батареи как в игре, так и во время работы.
 
  • Надёжность и долговечность- KingDian DDR-память использует 6-слойную плату платы для обеспечения стабильности продукта и высокопроизводительной передачи, а также использует отличную Nor-флэш уровня A-уровня для обеспечения качества и совместимости продукции.
 
  • Большие пропускные способности- Доступны в различных объемах: DDR4 4GB, DDR4 8GB, DDR4 16GB, DDR4 32GB, что позволяет эффективно выполнять многозадачность, использовать ресурсоёмкие игры и профессиональное программное обеспечение.
 
  • Производитель памяти ноутбуков- KingDian DDR4 SODIMM Series память использует строгие стандарты входящих инспекций, профессиональные производственные процессы и строгие методы управления качеством, чтобы предоставить серию продуктов DDR Memory для долгосрочного использования с широкой совместимостью, высокой стабильностью, высокой производительностью чтения и записи и отличной совместимостью с основными вычислительными платформами.
Серия Серия DDR4 SODIMM
Бренд KingDian
Вместимость 4GB 8GB 16 ГБ 32GB
Номер модели DDR4-NB-4GB DDR4-NB-8GB DDR4-NB-16GB DDR4-NB-32GB
EAN 6935515134268 6935515135982 6935515136415 6935515134275 6935515134282 6935515135999 6935515134299 6935515134305 6935515136002 6935515102137 6935515102144
Скорость памяти / частота 2400 МГц 2666 МГц 3200 МГц 2400 МГц 2666 МГц 3200 МГц 2400 МГц 2666 МГц 3200 МГц 2666 МГц 3200 МГц
Пропускная способность памяти (ГБ/с) 19200 21300 21300 21300
Ранг (1Rx8/2Rx8/8Rx4) 1Rx8 1Rx8 2Rx8 2Rx8
Задержка CAS CL15-15-15-35 CL19-19-19-43 CL22-22-22-52 CL15-15-15-35 CL19-19-19-43 CL22-22-22-52 CL15-15-15-35 CL19-19-19-43 CL22-22-22-52 CL19-19-19-43 CL22-22-22-52
Рабочее напряжение 1.2V
Нет. Memory IC 4//8//16
Энергопотребление 3W
Контроллерная схема НЕТ
Поддержка разгона (ДА / НЕТ) НЕТ
ECC (Код исправления ошибок) (ДА/НЕТ) НЕТ
Чистый вес (g) 10 г
Полный вес (g) 25 г
Пин Каунт 260
Поддержка OEM/ODM ДА
Радиатор / Теплораспределитель НЕТ
Форм-фактор SODIMM
Тип памяти компьютера (DRAM/SDRAM) DRAM
Рабочая температура 0-70°C
Температура хранения -40~85°C
Гарантия 3 года
Нет. Каналов памяти (одиночный/двойный) (Одиночный/Дуал)
Размерность произведения (W x D x H) в мм 70x30x3мм
Буферизированная / небуферизованная память Небуферизованная память
Memory IC Brand Micron/Samsung/Sk Hynix

    ПОЛУЧИТЕ СМЕТУ

    Связаться с нами