Память DDR4 серии SODIMM

  • Интерфейс: DDR4
  • Тип модуля DIMM: SODIMM
  • Частота: 2400/2666/3200 МГц
  • Различная емкость: 4 ГБ/8 ГБ/16 ГБ/32 ГБ
  • Рабочая температура: 0-75°С
  • Температура хранения: -40-75°С
  • Напряжение: 1,2 В
Категории: Тег:Память DDR4 серии SODIMM
  • Серия памяти SODIMM от KingDian DDR4

 
  • Повышение производительности- Память DDR4 для ноутбуков обеспечивает повышенную скорость передачи данных и эффективность по сравнению с памятью DDR3, повышая общую производительность системы.
 
  • Низкое энергопотребление- Память DDR4 работает при более низких уровнях напряжения, что способствует снижению энергопотребления, что крайне важно для ноутбуков для максимального увеличения времени автономной работы как во время игр, так и при выполнении рабочих задач.
 
  • Надежность и долговечность- Память KingDian DDR использует 6-слойную конструкцию печатной платы для обеспечения стабильности продукта и высокопроизводительной передачи, а также использует превосходную флэш-память A-level Nor Flash для обеспечения качества и совместимости продукта.
 
  • Высокая производительность- Доступны различные варианты емкости: DDR 4 ГБ, DDR 8 ГБ, DDR 16 ГБ, DDR 32 ГБ, что обеспечивает эффективную многозадачность, ресурсоемкие игры и профессиональное использование программного обеспечения.
 
  • Производитель памяти для ноутбуков- Память KingDian DDR4 серии SODIMM использует строгие стандарты входного контроля, профессиональные производственные процессы и строгие методы управления качеством, чтобы предоставить серию продуктов памяти DDR для долгосрочного использования с широкой совместимостью, высокой стабильностью, высокой производительностью чтения-записи и отличной совместимостью с основными решениями вычислительных платформ.
Серия Серия DDR4 SODIMM
Клеймо КингДиан
Способность 4 ГБ 8 ГБ 16 ГБ 32 ГБ
Номер модели DDR4-NB-4 ГБ DDR4-NB-8 ГБ DDR4-NB-16 ГБ DDR4-NB-32 ГБ
EAN 6935515134268 6935515135982 6935515134275 6935515134282 6935515135999 6935515134299 6935515136002 6935515102137 6935515102144
Скорость / частота памяти 2400 МГц 2666 МГц 2400 МГц 2666 МГц 3200 МГц 2666 МГц 3200 МГц 2666 МГц 3200 МГц
Пропускная способность памяти (ГБ/с) 19200 21300 21300 21300
Ранг (1Rx8/2Rx8/8Rx4) 1Rx8 1Rx8 2Rx8 2Rx8
Задержка CAS КЛ15-15-15-35 КЛ19-19-19-43 КЛ15-15-15-35 КЛ19-19-19-43 КЛ22-22-22-52 КЛ19-19-19-43 КЛ22-22-22-52 КЛ19-19-19-43 КЛ22-22-22-52
Рабочее напряжение 1,2 В
Нет. ИС памяти 4//8//16
Энергопотребление 3 Вт
ИС контроллера НЕТ
Поддержка разгона (ДА / НЕТ) НЕТ
ECC (код коррекции ошибок) (ДА/НЕТ) НЕТ
Вес нетто (г) 10г
Вес брутто (г) 25г
Количество выводов 260
Поддержка OEM/ODM ДА
Радиатор / Распределитель тепла НЕТ
Коэффициент формы СОДИММ
Тип компьютерной памяти (DRAM/SDRAM) ДРАМ
Рабочая температура 0-70°С
Температура хранения -40~85°С
Гарантия 3 года
Нет. каналов памяти (одиночный/двойный) (Одинарный/Двойный)
Размеры продукта (Ш x Г x В) в мм 70x30x3мм
Буферизованная / небуферизованная память Небуферизованная память
Марка микросхем памяти Micron/Samsung/Sk Hynix

    УЗНАТЬ ЦЕНУ

    Свяжитесь с нами