- Интерфейс: DDR5
- Тип модуля DIMM: UDIMM
- Функция рассеивания тепла: Да
- Напряжение: 1,1 / 1,35 / 1,4 В
- Частота: 4800/5600/6000/6400/6800/7200 МГц
- Доступная емкость: 8 ГБ/16 ГБ/32 ГБ
- Температура хранения: -40-75°С
- Рабочая температура:0-75°С
Радиатор памяти DDR5 серии H50
-
KingDian DDR5 Радиатор памяти серии H50
- Производительность нового поколения- Память DDR5 для настольных ПК представляет собой новейшую эволюцию в технологии оперативной памяти, предлагая более высокую скорость и увеличенную пропускную способность по сравнению с DDR4 и DDR3.
- Оптимальное охлаждение- Радиаторы на модулях DDR5 помогают эффективно рассеивать тепло, выделяемое при интенсивном использовании. Это не только помогает поддерживать стабильную производительность, но и продлевает срок службы модулей оперативной памяти, предотвращая перегрев и потенциальное регулирование производительности.
- Повышенная энергоэффективность- Модули памяти DDR5 включают в себя усовершенствования в управлении питанием, работают при более низком напряжении, сохраняя при этом высокую производительность.
- Оптимизирован для игр и создания контента- Он обеспечивает значительно более высокую скорость, повышая общую производительность системы, скорость отклика и возможности многозадачности. Это особенно выгодно для геймеров, создателей контента и профессионалов, выполняющих ресурсоемкие задачи.
- Дилер памяти для настольных ПК- KingDian использует строгие стандарты входного контроля, профессиональные производственные процессы и строгие методы управления качеством, чтобы предоставить серию продуктов памяти DDR для долгосрочного использования с широкой совместимостью, высокой стабильностью, высокой производительностью чтения-записи и отличной совместимостью с основными решениями вычислительных платформ.
| Серия | DDR5 с радиатором серии UDIMM (серия H50) | |||||||||||||||
| Клеймо | КингДиан | |||||||||||||||
| Номер модели | H50-DDR5-PC-8 ГБ | H50-DDR5-PC-16 ГБ | H50-DDR5-PC-32 ГБ | |||||||||||||
| Способность | 8 ГБ | 16 ГБ | 32 ГБ | |||||||||||||
| EAN | 6935515104902 | 6935515104896 | 6935515139546 | 6935515139539 | 6935515104889 | 6935515104872 | 6935515104865 | 6935515104858 | 6935515139522 | 6935515139515 | 6935515104841 | 6935515104834 | 6935515104827 | 6935515104933 | 6935515139508 | 6935515139492 |
| Скорость / частота памяти | 4800 МГц | 5600 МГц | 6000 МГЦ | 6400 МГЦ | 4800 МГц | 5600 МГц | 6000 МГЦ | 6400 МГЦ | 6800 МГЦ | 7200 МГЦ | 4800 МГц | 5600 МГц | 6000 МГЦ | 6400 МГЦ | 6800 МГЦ | 7200 МГЦ |
| Ранг (1Rx8/2Rx8/8Rx4) | 1Rx8 | 1Rx8 | 2Rx8 | 2Rx8 | 1Rx8 | 1Rx8 | 2Rx8 | 2Rx8 | 2Rx8 | 2Rx8 | 2Rx8 | 2Rx8 | 2Rx8 | 2Rx8 | 2Rx8 | 2Rx8 |
| Задержка CAS | КЛ40-40-40-77 | КЛ46-45-45-90 | КЛ46-48-48-96 | КЛ32-39-39-80 | КЛ40-40-40-77 | КЛ46-45-45-90 | КЛ46-48-48-96 | КЛ32-39-39-80 | КЛ34-45-45-108 | КЛ36-46-46-116 | КЛ40-40-40-77 | КЛ46-45-45-90 | КЛ46-48-48-96 | КЛ32-39-39-80 | КЛ34-45-45-108 | КЛ36-46-46-116 |
| Рабочее напряжение | 1,1 В | 1,1 В | 1.35 | 1,4 В | 1,1 В | 1,1 В | 1.35 | 1,4 В | 1,4 В | 1,4 В | 1,1 В | 1,1 В | 1.35 | 1,4 В | 1,4 В | 1,4 В |
| Нет. ИС памяти | 8/16 | |||||||||||||||
| Энергопотребление | 3 Вт | |||||||||||||||
| ИС контроллера | НЕТ | |||||||||||||||
| Поддержка разгона (ДА / НЕТ) | НЕТ | |||||||||||||||
| ECC (код коррекции ошибок) (ДА/НЕТ) | НЕТ | |||||||||||||||
| Вес нетто (г) | 40г | |||||||||||||||
| Вес брутто (г) | 75г | |||||||||||||||
| Количество выводов | 288 | |||||||||||||||
| Поддержка OEM/ODM | ДА | |||||||||||||||
| Радиатор / Распределитель тепла | ДА | |||||||||||||||
| Коэффициент формы | UDIMM | |||||||||||||||
| Тип компьютерной памяти (DRAM/SDRAM) | ДРАМ | |||||||||||||||
| Рабочая температура | 0-70°C | |||||||||||||||
| Температура хранения | -40 ~ 85 °C | |||||||||||||||
| Гарантия | 3 года | |||||||||||||||
| Нет. каналов памяти (одиночный/двойный) | (Одинарный/Двойный) | |||||||||||||||
| Размеры продукта (Ш x Г x В) в мм | 145x43x5 мм | |||||||||||||||
| Буферизованная / небуферизованная память | Небуферизованная память | |||||||||||||||
| Марка микросхем памяти | Micron/Samsung/Sk Hynix | |||||||||||||||