Радиатор памяти DDR5 серии H53

  • Интерфейс: DDR5/DDR4
  • Модель: H53/H43
  • Тип модуля DIMM: UDIMM
  • Частота: 4800/5600/6000/6400/6800/7200 МГц
  • Радиатор: Да
  • Емкость: 8 ГБ/16 ГБ/32 ГБ
  • Рабочая температура:0-75°С
  • Температура хранения: -40-75°С
  • Напряжение Диапазон: 1,1 / 1,35 / 1,4 В
Категории: Тег:Радиатор памяти DDR5 серии H53
  • KingDian DDR5 Радиатор памяти серии H53

  • Усовершенствованная конструкция радиатора- Для поддержания пиковой производительности даже при самых требовательных задачах оперативная память KingDian DDR5 H53 оснащена радиатором премиум-класса. Усовершенствованная система охлаждения эффективно рассеивает тепло, обеспечивая охлаждение и стабильность системы во время интенсивных рабочих нагрузок, продлевая срок службы модулей памяти.
 
  • Высокая скорость работы- Модули памяти DDR4 и DDR5 обеспечивают высокую скорость передачи данных, обеспечивая плавную игру, более быструю загрузку и бесперебойную работу в многозадачном режиме.
 
  • Низкое энергопотребление и высокий КПД– DDR4 использует низковольтную конструкцию для энергосбережения и защиты окружающей среды; DDR5 дополнительно оптимизирует управление питанием для повышения эффективности и долговечности.
 
  • Надежность и долговечность- Память KingDian DDR использует 6-слойную конструкцию печатной платы для обеспечения стабильности продукта и высокопроизводительной передачи, а также использует превосходную флэш-память A-level Nor Flash для обеспечения качества и совместимости продукта.
 
  • Производитель DDR- Каждый модуль оперативной памяти проходит тщательное тестирование на стабильность, надежность и производительность, подкрепленное стремлением KingDian к качеству.
Технические характеристики ОЗУ серии KingDian DDR5 (серия H53)
Серия DDR5 с радиатором серии UDIMM (серия H53)
Клеймо КингДиан
Способность 8 ГБ 16 ГБ 32 ГБ
Номер модели H53-DDR5-PC-8 ГБ H53-DDR5-PC-16 ГБ H53-DDR5-ПК-32 ГБ
EAN 6935515146834 6935515146827 6935515146810 6935515146803 6935515146797 6935515146780 6935515146773 6935515146766 6935515146759 6935515146742 6935515146735 6935515146728 6935515146711 6935515146704 6935515146698 6935515146681
Скорость / частота памяти 4800 МГц 5600 МГц 6000 МГЦ 6400 МГЦ 4800 МГц 5600 МГц 6000 МГЦ 6400 МГЦ 6800 МГЦ 7200 МГЦ 4800 МГц 5600 МГц 6000 МГЦ 6400 МГЦ 6800 МГЦ 7200 МГЦ
Ранг (1Rx8/2Rx8/8Rx4) 1Rx8 1Rx8 2Rx8 2Rx8 1Rx8 1Rx8 2Rx8 2Rx8 2Rx8 2Rx8 2Rx8 2Rx8 2Rx8 2Rx8 2Rx8 2Rx8
Задержка CAS КЛ40-40-40-77 КЛ46-45-45-90 КЛ46-48-48-96 КЛ32-39-39-80 КЛ40-40-40-77 КЛ46-45-45-90 КЛ46-48-48-96 КЛ32-39-39-80 КЛ34-45-45-108 КЛ34-45-45-115 КЛ40-40-40-77 КЛ46-45-45-90 КЛ46-48-48-96 КЛ32-39-39-80 КЛ34-45-45-108 КЛ36-46-46-116
Рабочее напряжение 1,1 В 1,1 В 1.35 1,4 В 1,1 В 1,1 В 1.35 1,4 В 1,4 В 1,4 В 1,1 В 1,1 В 1.35 1,4 В 1,4 В 1,4 В
Нет. ИС памяти 8/16
Энергопотребление 3 Вт
ИС контроллера НЕТ
Поддержка разгона (ДА / НЕТ) НЕТ
ECC (код коррекции ошибок) (ДА/НЕТ) НЕТ
Вес нетто (г) 50г
Вес брутто (г) 85г
Количество выводов 288
Поддержка OEM/ODM ДА
Радиатор / Распределитель тепла ДА
Коэффициент формы UDIMM
Тип компьютерной памяти (DRAM/SDRAM) ДРАМ
Рабочая температура 0-70°C
Температура хранения -40 ~ 85 °C
Гарантия 3 года
Нет. каналов памяти (одиночный/двойный) (Одинарный/Двойный)
Размеры продукта (Ш x Г x В) в мм 136x45x6 мм
Буферизованная / небуферизованная память Небуферизованная память
Марка микросхем памяти Micron/Samsung/Sk Hynix

    УЗНАТЬ ЦЕНУ

    Свяжитесь с нами